Юридический адрес: Республика Беларусь, 220013 г. Минск, ул. П.Бровки 6
Телефон:
+375 17 293 89 52
E-mail: sizova@bsuir.by

Олег Иванович Величко

Олег Иванович Величко родился 30 января 1953 г. в г. Минске в семье служащих, в 1976 г. окончил физический факультет Белорусского государственного университета, а в 1982 г. аспирантуру кафедры радиотехники и физической электроники БГУ. 

В 1988 г. защитил диссертацию по теме: «Процессы атомной диффузии при неравновесном состоянии компонентов дефектно-примесной системы кристаллов кремния» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  по специальности «Твердотельная электроника, микроэлектроника» в Институте электроники Национальной академии наук Беларуси. 
В 1997 г успешно защитил диссертацию: «Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах» на соискание ученой степени доктора 
физико-математических наук по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» в Белорусском государственном университете.  

С 1979 г.  - Старший научный сотрудник кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института. 
С 1988 г.  - Научный сотрудник кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института. 
С 1990 г.  - Докторант кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института. 
С 1993 г.  - Старший научный сотрудник кафедры микроэлектроники БГУИР (бывший Минский радиотехнический институт). 
С 1994 г. - Доцент кафедры физики БГУИР. 
С 1997 - Профессор кафедра физики БГУИР. 
С 2002 - Доцент кафедры физики БГУИР и  одновременно – ведущий научный сотрудник НИЛ 4.8 
С  2014 г. - Профессор кафедра физики БГУИР. 

Олег Иванович Величко разработал теорию совместной диффузии примесных атомов и точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах, в которой учитывается не­равновесное состояние дефектной подсистемы кристалла и влияние границ разде­ла и полей упругих напряжений на процессы переноса частиц. Разработал ряд мо­делей диффузии, включая модель диффузии фосфора в кремнии и модель диф­фузии кремния в арсениде галлия. Полученные научные результаты имеют важное значение для моделирования процессов легирования при изготовлении совре­менных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также для разработки технологических процессов создания приборов наноэлектроники.


Основная область исследований

(I) Теория и моделирование процессов переноса и квазихимических реакций 
атомов примеси и точечных дефектов в сильно легированных слоя и в 
окрестностях границ раздела в сложных полупроводниках, кремнии, и 
структурах Si/Ge. 

Дополнительные области 
(II) Численное решение уравнений "диффузии-дрейфа-реакций". 

Текущее исследование 
(III) Моделирование процессов переноса в полях упругих напряжений. 

Публикации: 
Число статей в реферируемых журналах: 76 
Число докладов на научных конференциях: 57