Олег Иванович Величко
Олег Иванович Величко родился 30 января 1953 г. в г. Минске в семье служащих, в 1976 г. окончил физический факультет Белорусского государственного университета, а в 1982 г. аспирантуру кафедры радиотехники и физической электроники БГУ.
В 1988 г. защитил диссертацию по теме: «Процессы атомной диффузии при неравновесном состоянии компонентов дефектно-примесной системы кристаллов кремния» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности «Твердотельная электроника, микроэлектроника» в Институте электроники Национальной академии наук Беларуси.
В 1997 г успешно защитил диссертацию: «Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах» на соискание ученой степени доктора
физико-математических наук по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» в Белорусском государственном университете.
С 1979 г. - Старший научный сотрудник кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института.
С 1988 г. - Научный сотрудник кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института.
С 1990 г. - Докторант кафедры микроэлектроники Минского радиотехнического института.
С 1993 г. - Старший научный сотрудник кафедры микроэлектроники БГУИР (бывший Минский радиотехнический институт).
С 1994 г. - Доцент кафедры физики БГУИР.
С 1997 - Профессор кафедра физики БГУИР.
С 2002 - Доцент кафедры физики БГУИР и одновременно – ведущий научный сотрудник НИЛ 4.8
С 2014 г. - Профессор кафедра физики БГУИР.
Олег Иванович Величко разработал теорию совместной диффузии примесных атомов и точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах, в которой учитывается неравновесное состояние дефектной подсистемы кристалла и влияние границ раздела и полей упругих напряжений на процессы переноса частиц. Разработал ряд моделей диффузии, включая модель диффузии фосфора в кремнии и модель диффузии кремния в арсениде галлия. Полученные научные результаты имеют важное значение для моделирования процессов легирования при изготовлении современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также для разработки технологических процессов создания приборов наноэлектроники.
Основная область исследований
(I) Теория и моделирование процессов переноса и квазихимических реакций
атомов примеси и точечных дефектов в сильно легированных слоя и в
окрестностях границ раздела в сложных полупроводниках, кремнии, и
структурах Si/Ge.
Дополнительные области
(II) Численное решение уравнений "диффузии-дрейфа-реакций".
Текущее исследование
(III) Моделирование процессов переноса в полях упругих напряжений.
Публикации:
Число статей в реферируемых журналах: 76
Число докладов на научных конференциях: 57